ＣＩＧＳ半導体前駆体膜の製造方法およびそれを用いたＣＩＧＳ半導体膜の製造方法並びにそれらを用いたＣＩＧＳ太陽電池の製造方法

摘要

【課題】ＣＩＧＳ太陽電池の光吸収層に用いるＣＩＧＳ半導体膜のボイド発生を効果的に抑制することができる、ＣＩＧＳ半導体前駆体膜の製造方法およびそれを用いたＣＩＧＳ半導体膜の製造方法並びにそれらを用いたＣＩＧＳ太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】ガリウムとセレンとを含む層Ａを固相状態で基板１に直接または他の層を介して積層する第１の積層工程と、インジウムとセレンとを含む層Ｂとを固相状態で層Ａに直接または他の層を介して積層する第２の積層工程と、銅とセレンとを含む層Ｃを固相状態で層Ｂに直接または他の層を介して積層する第３の積層工程とを有し、上記第１の積層工程および第２の積層工程において、基板１の温度変化ΔＴが０℃≦ΔＴ≦１０℃の式を満たすよう、温度制御してＣＩＧＳ半導体前駆体膜３を製造するようにした。【選択図】図１