半導体装置および半導体パッケージ

摘要

本発明の半導体装置は、所定のオフ方向に傾斜したオフ角を有し、表面にトレンチが形成された第１導電型のワイドバンドギャップ半導体からなる半導体層と、前記半導体層の表面に接合された第１電極と、前記半導体層の裏面に接合された第２電極とを含み、前記トレンチの側面を前記半導体層の前記オフ方向に対する平行成分および垂直成分に分解したときに、前記平行成分が前記垂直成分よりも大きい。