炭化シリコン半導体装置及びその製造方法

摘要

ＳｉＣ下地基板にＳｉＣエピタキシャル層形成後、このエピタキシャル層表面の結晶欠陥密度を低減してデバイスの良品率の向上を図る。第一導電型の炭化シリコン半導体基板１の一方の主面に積層される第一導電型の炭化シリコン半導体エピタキシャル層２を有する炭化シリコン半導体装置において、前記炭化シリコン半導体エピタキシャル層２が積層される炭化シリコン半導体基板１表面と炭化シリコン半導体エピタキシャル層２の表面の少なくともいずれか一方の表面に再結晶層１３を備える炭化シリコン半導体装置。