ＳＧＴを有する半導体装置と、その製造方法

摘要

半導体装置の製造方法は、半導体基板（１）上に位置する半導体柱（６）にＳＧＴを形成し、半導体柱（６）の部に存在する不純物領域（２ａ、３ｂ）又はゲート導体層（１０ｄ）の側面に接するように配線半導体層（１５、２２）を形成する。配線半導体層（１５、２２）の側面に形成された第１の合金層（１９ａ、２３ａ）が、不純物領域（２ｂ、３ｂ）及びゲート導体層（１０ｄ）と直接的に繋がり、配線半導体層（１５、２２）の上面及び側面に形成された第２の合金層（１９ｂ、２３ｂ）の上面上に形成されたコンタクトホール（２８ｃ、２８ａ）を介して出力配線金属層（Ｖｏｕｔ）に接続されている。