| 发明名称 |
ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴの製造方法 |
| 摘要 |
【課題】ノーマリーオフ動作する水素化ダイヤモンドチャネルＭＩＳＦＥＴを得るための製造方法上の条件を明らかにする。【解決手段】ノーマリーオフ動作する水素化ダイヤモンドチャネルＭＩＳＦＥＴはいくつか知られていたが、ノーマリーオフ化するために必要な条件は不明であった。本発明では、ゲート酸化物を複数層構成とした上で、１６０℃から３５０℃の範囲という比較的低温でアニールすることで、通常はノーマリーオン動作するこの種のＭＩＳＦＥＴがノーマリーオフ化することを見出した。【選択図】図４ |
| 申请公布号 |
JP2017050485(A) |
申请公布日期 |
2017.03.09 |
| 申请号 |
JP20150174571 |
申请日期 |
2015.09.04 |
| 申请人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
发明人 |
劉 江偉;小出 康夫;リャオ メイヨン;井村 将隆;松元 隆夫;柴田 直哉;幾原 雄一 |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/316;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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