| 摘要 |
【課題】３ＤＮＡＮＤフラッシュメモリのメモリビット密度を向上する。【解決手段】３ＤＮＡＮＤフラッシュメモリなどの垂直不揮発性（ＮＶ）メモリ装置を形成する方法は、垂直ＮＶメモリセルストリングを、基板上で第１層と第２層が交互に層になったスタックに配置した開口内で形成するステップと、垂直ＮＶメモリセルストリングを、第１の垂直で深いトレンチと、第１の垂直で深いトレンチに形成した隔離誘電柱で半分に分割するステップを含む。【効果】分割した垂直ＮＶメモリセルストリングのメモリビット密度は、装置のメモリビットを２倍にする。【選択図】図１ |
