发明名称 |
FINFET-BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG |
摘要 |
Ein FinFET-Bauelement weist ein Substrat, eine Finne, die auf dem Substrat ausgebildet ist, und eine Gate-Elektrode auf, die die Finne kreuzt. Die Gate-Elektrode hat einen Kopfteil und einen Endteil, wobei der Endteil mit dem Kopfteil verbunden ist und zu dem Substrat hin verlängert ist. Die Breite des Kopfteils ist größer als die des Endteils. |
申请公布号 |
DE102016101112(A1) |
申请公布日期 |
2017.03.09 |
申请号 |
DE201610101112 |
申请日期 |
2016.01.22 |
申请人 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. |
发明人 |
Liu, Chi-Wen;Huang, Hsin-Chieh;Hsu, Yi-Ju;Tseng, Horng-Huei;Peng, Yen-Ming |
分类号 |
H01L29/78;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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