发明名称 FINFET-BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
摘要 Ein FinFET-Bauelement weist ein Substrat, eine Finne, die auf dem Substrat ausgebildet ist, und eine Gate-Elektrode auf, die die Finne kreuzt. Die Gate-Elektrode hat einen Kopfteil und einen Endteil, wobei der Endteil mit dem Kopfteil verbunden ist und zu dem Substrat hin verlängert ist. Die Breite des Kopfteils ist größer als die des Endteils.
申请公布号 DE102016101112(A1) 申请公布日期 2017.03.09
申请号 DE201610101112 申请日期 2016.01.22
申请人 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. 发明人 Liu, Chi-Wen;Huang, Hsin-Chieh;Hsu, Yi-Ju;Tseng, Horng-Huei;Peng, Yen-Ming
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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