| 摘要 |
【課題】 第１電極層に発生するクラックの成長を抑制する。【解決手段】半導体装置は、半導体素子が形成された半導体基板と、半導体基板上に設けられ、半導体素子と電気的に接続する第１電極層と、第１電極層の上面の一部に積層された保護絶縁膜と、第１電極層と保護絶縁膜の両者に亘って積層された第２電極層とを備える。第２電極層を構成する材料は、第１電極層を構成する材料よりも機械的強度が高い。第１電極層の上面には、溝部が設けられており、第２電極層の下面には、溝部内に突出する突出部が設けられている。突出部の下端は、第１電極層の厚み方向の位置よりも下方に位置する。【選択図】図４ |
