半導体装置

摘要

【課題】短チャネル効果に耐性を有するトランジスタを提供する。【解決手段】環状に設けられた第１の導電体と、第１の導電体の環の内側を通して伸長した領域を有する酸化物半導体と、第１の導電体と、酸化物半導体との間に設けられた第１の絶縁体と、第１の導電体と、第１の絶縁体との間に設けられた第２の絶縁体と、第１の導電体の環の内側に設けられた電荷捕獲層と、を有し、電荷捕獲層は、第２の絶縁体中に設けられ、フローティング状態にすることができる。【選択図】図１