一种低温转移导电微米和/或纳米线网络方法

摘要

本发明公开了一种低温转移导电微米和/或纳米线网络的无损转移方法，该方法首先将导电微米和/或纳米线网络沉积在基片表面，然后将柔/弹聚合物的液态前驱体涂覆在沉积有导电微米和/或纳米线网络的基片表面，在一定条件下使聚合物的液态前驱体固化，然后在低温环境下，将固化后的聚合物冷冻硬化，在保持硬化状态下，将聚合物从基片表面分离，最后解冻聚合物使其在一定温度下恢复柔/弹性。通过这种冷冻分离方式实现了将导电微米和/或纳米线网络从一种衬底到另一种衬底的转移。本发明具有高效，快速，低成本，无污染，对被转移材料表面无破坏等优点，未来在可拉伸透明电极，柔性显示，智能设备等领域都有较大应用前景。

主权项

一种冷冻分离实现导电微米和/或纳米线网络无损转移方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将导电微米和/或纳米线材料沉积在基片表面得到导电微米和/或纳米线网络；所形成的导电微米和/或纳米线网络有序或无序地分散在基片表面；(2)将配制好的聚合物液态前驱体均匀涂覆在沉积有微米和/或纳米线网络的基片表面；(3)使聚合物液态前驱体固化成膜，形成聚合物层；所用固化方法包括加热和紫外辐照；(4)将表面沉积有微米和/或纳米线网络且涂覆有固化聚合物层的基片放置于低温环境中，待聚合物层硬化，在保持该硬化条件下，将聚合物层从基片表面分离，从而将微米和/或纳米线网络转移到聚合物层上，所述低温范围为‑30℃至‑196.5℃；(5)将所述聚合物层置于室温或加热条件下解冻，直至完全恢复柔/弹性。