| 发明名称 | 芯片散热用镓液态金属合金及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及液态金属合金。芯片散热用镓液态金属合金，是采用下述工艺制成的金属合金，步骤一，对原料进行配比称重，原料按以下质量比称重：镓25％～60％、铟10％～30％、铋10％～30％、硼15％～35％、铯5％～40％、钼5％～25％；步骤二，合金熔炼：将锅炉升温至300°，在坩埚中依次放入铟、铋、硼和铯，将坩埚放入锅炉中加热；步骤三，将锅炉的温度调整为250°，然后在坩埚中加入钼，静置10min‑30min，熔化后将表层氧化物除去并搅拌；步骤四，将锅炉的温度调整为150°，然后在坩埚中加入镓；步骤五，自然冷却至室温，得到合金成品。本发明优化了传统的配方能够降低熔点的同时提高散热效果。 | ||
| 申请公布号 | CN106609332A | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201611102378.8 | 申请日期 | 2016.12.05 |
| 申请人 | 上海阿莱德实业股份有限公司 | 发明人 | 李延民;程亚东 |
| 分类号 | C22C30/00(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C22C28/00(2006.01)I | 主分类号 | C22C30/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230 | 代理人 | 陈伟勇 |
| 主权项 | 芯片散热用镓液态金属合金，其特征在于，是采用下述工艺制成的金属合金，步骤一，对原料进行配比称重，原料按以下质量比称重：镓25％～60％、铟10％～30％、铋10％～30％、硼15％～35％、铯5％～40％、钼5％～25％；步骤二，合金熔炼：将锅炉升温至300°，在坩埚中依次放入铟、铋、硼和铯，将坩埚放入锅炉中加热，熔化后将表层氧化物除去并搅拌；步骤三，将锅炉的温度调整为250°，然后在坩埚中加入钼，静置10min‑30min，熔化后将表层氧化物除去并搅拌；步骤四，将锅炉的温度调整为150°，然后在坩埚中加入镓，熔化后将表层氧化物除去并搅拌；步骤五，取出坩埚，将坩埚内的物质浇铸到烘干过的模具内，自然冷却至室温，得到合金成品。 | ||
| 地址 | 201419 上海市奉贤区海湾旅游区奉新北路22号806室 | ||