反应腔室及半导体加工设备

摘要

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，包括基座、卡环、检测装置和调节装置，其中，基座用于承载晶片，且基座在进行工艺时被施加有负偏压；卡环压住晶片上表面的边缘区域；检测装置用于实时检测基座的负偏压，并将其发送至调节装置；调节装置用于根据基座的负偏压对卡环的电压进行调节，以使基座的负偏压与卡环的电压一致。本发明提供的反应腔室，其可以保证基座的负偏压与卡环的电压一致，从而可以避免出现卡环和基座之间打火的问题。

主权项

一种反应腔室，包括基座和卡环，所述基座用于承载晶片，且所述基座在进行工艺时被施加有负偏压；所述卡环压住所述晶片上表面的边缘区域；其特征在于，所述反应腔室还包括检测装置和调节装置，其中，所述检测装置用于实时检测所述基座的负偏压，并将其发送至所述调节装置；所述调节装置用于根据所述基座的负偏压对所述卡环的电压进行调节，以使所述基座的负偏压与所述卡环的电压一致。