存储器装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种存储器装置及其制造方法。该存储器装置包括：基板，具有两个漏极区；位线，设于基板上；第一绝缘层，覆盖基板及位线，其中第一绝缘层具有沟槽露出两个漏极区；以及两个漏极接触插塞，设于沟槽中，且两个漏极接触插塞分别电连接两个漏极区，其中任一漏极接触插塞包括：第一导电层，设于基板上；衬层，设于第一导电层上及沟槽的侧壁上；及第二导电层，设于衬层上，其中两个漏极接触插塞之间具有隔离槽，且第二导电层具有面对隔离槽的侧边，其中衬层并未延伸至第二导电层的侧边上。本发明亦提供此存储器装置的制造方法。通过实施本发明，可更进一步缩小存储器的尺寸，且可增加工艺宽裕度以及工艺良品率。

主权项

一种存储器装置，其特征在于，所述存储器装置包括：一基板，具有两个漏极区；一位线，设于所述基板上；一第一绝缘层，覆盖所述基板及所述位线，其中所述第一绝缘层具有一沟槽露出所述两个漏极区；以及两个漏极接触插塞，设于所述沟槽中，且所述两个漏极接触插塞分别电连接所述两个漏极区，其中任一所述漏极接触插塞包括：一第一导电层，设于所述基板上；一衬层，设于所述第一导电层上及所述沟槽的侧壁上；及一第二导电层，设于所述衬层上，其中所述两个漏极接触插塞之间具有一隔离槽，且所述第二导电层具有面对所述隔离槽的一侧边，其中所述衬层并未延伸至所述第二导电层的所述侧边上。