半导体器件及其制造方法

摘要

本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括能够在独立于单元性能的情况下实现栅极电容的精细调节的沟槽栅极IGBT。在栅极布线引出区域中，多个沟槽在与Y方向正交的X方向上相互隔开地布置。在平面图中每个沟槽具有被矩形外轮廓和矩形内轮廓包围的形状。沟槽栅极电极设置在每个沟槽中，以便电耦合到引出电极。为了在集电极和发射极之间获得足够的击穿电压，将沟槽形成在p型浮置区域中。在平面图中n^‑型漂移区域形成在位于沟槽内轮廓的内部的区域中，由此在n^‑型漂移区域和沟槽栅极电极之间形成的电容可以被用作反向传输电容。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面；第一区域，在平面图中设置在所述半导体衬底的中心处；以及第二区域，在平面图中设置在所述第一区域的外部；其中所述第一区域包括：多个第一沟槽，在所述第一主表面处在第一方向上延伸并且在与所述第一方向正交的第二方向上彼此隔开地布置；以及多个第一沟槽栅极电极，经由第一绝缘膜设置在相应的所述第一沟槽中，其中所述第二区域包括：多个第二沟槽，在所述第二方向上彼此隔开地布置，在平面图所述第二沟槽中的每个沟槽具有被矩形外轮廓和矩形内轮廓包围的形状；以及多个第二沟槽栅极电极，经由第二绝缘膜设置在相应的所述第二沟槽中，其中所述第二沟槽栅极电极通过在所述第二沟槽栅极电极之上形成的引出电极而电耦合在一起，以及其中所述第一沟槽中的每个沟槽导向至所述第二沟槽中的任意一个沟槽，且所述第二沟槽栅极电极电耦合到所述第一沟槽栅极电极。