| 发明名称 | 为使用全金属栅极的互补金属氧化物半导体集成多阈值电压器件的方法和系统 | ||
| 摘要 | 本发明涉及为使用全金属栅极的互补金属氧化物半导体集成多阈值电压器件的方法和系统。提供衬底，该衬底上已形成有第一区域和与所述第一区域互补类型的第二区域。在所述衬底之上沉积栅极电介质，并且在所述栅极电介质之上沉积第一全金属栅极叠层。去除所述第一区域之上的所述第一全金属栅极叠层以产生所得到的结构。与所述第一区域之上的所述栅极电介质相接触地在所得到的结构之上沉积第二全金属栅极叠层。密封所述第一和第二全金属栅极叠层。 | ||
| 申请公布号 | CN103632947B | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201310369841.5 | 申请日期 | 2013.08.22 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | L·F·埃奇;H·杰加纳森;B·S·哈兰 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 贺月娇;于静 |
| 主权项 | 一种形成电路结构的方法，包括：提供衬底，该衬底上已形成有第一区域和与所述第一区域互补类型的第二区域；在所述衬底之上沉积栅极电介质；在所述栅极电介质之上沉积第一全金属栅极叠层；去除所述第一区域之上的所述第一全金属栅极叠层以产生所得到的结构；与所述第一区域之上的所述栅极电介质相接触地在所述所得到的结构之上沉积第二全金属栅极叠层；以及密封所述第一和第二全金属栅极叠层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||