发明名称 | 衬底及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种衬底及其制造方法,包括:提供辅助衬底和支撑衬底,所述辅助衬底上至少包括缺陷消除结构、所述缺陷消除结构之上外延层及所述外延层之上的钝化层,所述支撑衬底上至少包括掩埋介质层;将所述辅助衬底键合到所述支撑衬底上;去除所述辅助衬底;进行化学机械平坦化CMP直至所述外延层达到指定厚度。由于该缺陷消除结构能减少外延层缺陷,该钝化层能有效保减小该外延层在键合过程中受到的损伤,避免外延层中产生大量的缺陷,提升利用该外延层制造器件的性能及可靠性。 | ||
申请公布号 | CN106611739A | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
申请号 | CN201510708519.X | 申请日期 | 2015.10.27 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王桂磊;亨利·H·阿达姆松;罗军;李俊峰;赵超 |
分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 洪余节;党丽 |
主权项 | 一种衬底制造方法,其特征在于,包括:提供辅助衬底和支撑衬底,所述辅助衬底上至少包括缺陷消除结构、所述缺陷消除结构之上外延层及所述外延层之上的钝化层,所述支撑衬底上至少包括掩埋介质层;将所述辅助衬底键合到所述支撑衬底上;去除所述辅助衬底;进行化学机械平坦化CMP直至所述外延层达到指定厚度。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |