发明名称 衬底及其制造方法
摘要 本发明提供了一种衬底及其制造方法,包括:提供辅助衬底和支撑衬底,所述辅助衬底上至少包括缺陷消除结构、所述缺陷消除结构之上外延层及所述外延层之上的钝化层,所述支撑衬底上至少包括掩埋介质层;将所述辅助衬底键合到所述支撑衬底上;去除所述辅助衬底;进行化学机械平坦化CMP直至所述外延层达到指定厚度。由于该缺陷消除结构能减少外延层缺陷,该钝化层能有效保减小该外延层在键合过程中受到的损伤,避免外延层中产生大量的缺陷,提升利用该外延层制造器件的性能及可靠性。
申请公布号 CN106611739A 申请公布日期 2017.05.03
申请号 CN201510708519.X 申请日期 2015.10.27
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 王桂磊;亨利·H·阿达姆松;罗军;李俊峰;赵超
分类号 H01L21/762(2006.01)I 主分类号 H01L21/762(2006.01)I
代理机构 北京维澳专利代理有限公司 11252 代理人 洪余节;党丽
主权项 一种衬底制造方法,其特征在于,包括:提供辅助衬底和支撑衬底,所述辅助衬底上至少包括缺陷消除结构、所述缺陷消除结构之上外延层及所述外延层之上的钝化层,所述支撑衬底上至少包括掩埋介质层;将所述辅助衬底键合到所述支撑衬底上;去除所述辅助衬底;进行化学机械平坦化CMP直至所述外延层达到指定厚度。
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