发明名称 倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置及方法
摘要 本发明涉及一种倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置及方法,本发明的助焊剂涂覆状态检查装置包括:吸嘴驱动部,用于使助焊剂涂覆在凸点的倒装芯片移动到检查位置;主照明部,用于向所述倒装芯片的凸点照射具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的光;拍摄部,用于拍摄从所述主照明部照射的所述光的反射光;以及视觉确认部,用于读取通过所述拍摄部拍摄的视频或图像而显示助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆与否,此外,助焊剂涂覆状态检查方法以如下方式进行检查:基于所述拍摄到的反射光,将具有相对较低的光强的反射光的位置判断为涂覆有助焊剂的位置;将具有相对较低的光强的位置判断为未涂覆有助焊剂的位置。
申请公布号 CN106611728A 申请公布日期 2017.05.03
申请号 CN201610561313.3 申请日期 2016.07.15
申请人 韩华泰科株式会社 发明人 金相哲
分类号 H01L21/67(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;B23K1/20(2006.01)I;B23K3/08(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 韩明星;孙昌浩
主权项 一种倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置,包括:吸嘴驱动部,用于使助焊剂涂覆在凸点的倒装芯片移动到检查位置;主照明部,用于向所述倒装芯片的凸点照射具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的光;拍摄部,用于拍摄从所述主照明部照射的所述光的反射光;以及视觉确认部,用于读取通过所述拍摄部拍摄的视频或图像而显示助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆与否,所述特定区域的波长范围是具有针对所述助焊剂的吸收率随着波长的变化而呈现的多个峰值中的一个峰值的波长范围。
地址 韩国庆尚南道昌原市