| 发明名称 | 一种粗化倒装GaAs基LED外延片 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种粗化倒装GaAs基LED外延片，自上而下依次包括腐蚀阻挡层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层、电流扩展层、SiC衬底或Si衬底，所述腐蚀阻挡层上设有凸起结构体及凹陷结构体。凸起结构体或凹陷结构体的设置，增加了表面的粗糙度，提高了倒装GaAs基LED外延片的出光效率，使实际出光率达到90％以上，解决了出光效率低的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN206148465U | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201621159108.6 | 申请日期 | 2016.10.25 |
| 申请人 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 发明人 | 李志虎;张新;于军;王成新;徐现刚 |
| 分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)N | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人 | 杨树云 |
| 主权项 | 一种粗化倒装GaAs基LED外延片，其特征在于，自上而下依次包括腐蚀阻挡层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层、电流扩展层、SiC衬底或Si衬底，所述腐蚀阻挡层上设有凸起结构体及凹陷结构体。 | ||
| 地址 | 261061 山东省潍坊市高新区金马路9号 | ||