发明名称 | 一种熔盐体系下低温晶化氧化硅的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种熔盐体系下低温晶化氧化硅的方法,包括以下步骤:(1)将氧化硅加入熔盐体系中,并研磨得到混合粉体,使氧化硅均匀分散于熔盐中;(2)将混合粉体在空气中常压条件下,500℃下熔盐反应4‑6小时;(3)反应结束后,用去离子水溶解去除熔盐,并离心,干燥处理得到晶化氧化硅,同时熔盐可以重复性利用。与现有技术相比,本发明首次提出了一种熔盐法低温晶化氧化硅的方法,显著降低反应温度,并且制备的为方石英;采用本发明提供的方法容易实现反应的均匀性;采用本发明提供的方法晶化氧化硅具有反应温度低,反应时间短,结晶度高,制备简单、经济和环保等特点,具有较好的应用前景。 | ||
申请公布号 | CN105174271B | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
申请号 | CN201510523817.1 | 申请日期 | 2015.08.24 |
申请人 | 上海工程技术大学 | 发明人 | 胡桂青;姚宝殿;于治水 |
分类号 | C01B33/113(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/113(2006.01)I |
代理机构 | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人 | 赵志远 |
主权项 | 一种熔盐体系下低温晶化氧化硅的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将氧化硅加入熔盐体系中,并研磨得到混合粉体;(2)将混合粉体在空气中常压条件下,500℃下熔盐反应4‑6小时;(3)反应结束后,用去离子水溶解去除熔盐,并离心,干燥处理得到晶化氧化硅;步骤(1)所述的熔盐为NaNO<sub>3</sub>熔盐;步骤(1)所述的氧化硅为介孔氧化硅SBA‑15;步骤(1)中所述的氧化硅与熔盐的重量比为1:(10~50)。 | ||
地址 | 201620 上海市松江区龙腾路333号 |