一种闪存存储设备检测的方法及装置

摘要

本发明适用于存储设备技术领域，提供了一种闪存存储设备检测的方法及装置，所述方法包括：在所述闪存存储设备上电后，且所述闪存存储设备处于空闲状态时，对所述闪存存储设备进行至少一次写入检测数据的操作；以存储块为单位读取写入所述闪存存储设备的检测数据，并对从每一个存储块中读取的所述检测数据进行ECC校验，当校验结果为当前存储块中读取的所述检测数据的最大错误字节数大于或等于预先设定的阈值时，判定所述当前存储块为坏块，并对所述当前存储块进行标记；否则判定所述当前存储块为好块，擦除写入该存储块的检测数据，并对该存储块进行标记。通过本发明，可有效避免闪存存储设备使用“坏块”存储数据，导致数据出错或丢失的问题。

主权项

一种闪存存储设备检测的方法，其特征在于，所述方法包括：在所述闪存存储设备上电后，且所述闪存存储设备处于空闲状态时，对所述闪存存储设备进行至少一次写入检测数据的操作；以存储块为单位读取写入所述闪存存储设备的检测数据，并对从每一个存储块中读取的所述检测数据进行ECC校验，当校验结果为当前存储块中读取的所述检测数据的最大错误字节数大于或等于预先设定的阈值时，判定所述当前存储块为坏块，并对所述当前存储块进行标记；当校验结果为当前存储块中读取的所述检测数据的最大错误字节数小于预先设定的所述阈值时，判定所述当前存储块为好块，擦除写入该存储块的检测数据，并对该存储块进行标记；所述闪存存储设备至少包含一多层单元闪存，所述方法还包括：在接收到写指令时，将所述写指令中包含的待写入数据以SLC方式写入到所述好块中的多层单元闪存存储块的最低有效位页和/或单层单元闪存存储块的闪存页；所述将所述写指令中包含的待写入数据以SLC方式写入到所述好块中的多层单元闪存存储块的最低有效位页和/或单层单元闪存存储块的闪存页包括：判断所述闪存存储设备中空的多层单元闪存存储块的数量和/或空的单层单元闪存存储块的数量是否大于预先设定的临界值，若是，将所述写指令中包含的待写入数据以SLC方式写入到所述好块中的多层单元闪存存储块的最低有效位页和/或单层单元闪存存储块的闪存页；其中，所述空的多层单元闪存存储块为未写入数据的多层单元闪存存储块，所述空的单层单元闪存存储块为未写入数据的单层单元闪存存储块，所述临界值为一比例值；所述方法还包括：当所述闪存存储设备处于空闲状态或者所述空的多层单元闪存存储块的数量和/或空的单层单元闪存存储块的数量达到预先设定的临界值时，获取空的多层单元闪存存储块，将以SLC方式写入的所述待写入数据以MLC方式搬移到所述获取的空的多层单元闪存存储块中；所述将以SLC方式写入的所述待写入数据以MLC方式搬移到所述获取的空的多层单元闪存存储块中包括：获取空的多层单元闪存存储块和/或空的单层单元闪存存储块，将以SLC方式写入有数据的多层单元闪存存储块上的数据以MLC方式搬移到所述获取的空的多层单元闪存存储块上的所有闪存页和/或空的单层单元闪存存储块上的所有闪存页，并擦除所述以SLC方式写入有数据且数据进行了以MLC方式转移存储的多层单元闪存存储块。