| 发明名称 | 电阻式记忆胞的操作方法及电阻式内存 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种电阻式记忆胞的操作方法及电阻式内存。电阻式记忆胞的操作方法包括下列步骤：进行电阻式记忆胞的形成操作；判断所述电阻式记忆胞是否位于第一状态，其中所述第一状态对应第一操作；当所述电阻式记忆胞没有位于所述第一状态时，进行所述电阻式记忆胞关于第二操作的互补切换操作，以使所述电阻式记忆胞产生关于所述第二操作的互补切换现象。藉此，可有效使无法藉由一般的形成操作来保存数据的电阻式记忆胞能够藉由互补切换现象来具备数据保存能力。 | ||
| 申请公布号 | CN106611615A | 申请公布日期 | 2017.05.03 |
| 申请号 | CN201510905821.4 | 申请日期 | 2015.12.09 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 廖绍憬;王炳琨;陈达 |
| 分类号 | G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 马雯雯;臧建明 |
| 主权项 | 一种电阻式记忆胞的操作方法，其特征在于，包括：进行电阻式记忆胞的形成操作；判断所述电阻式记忆胞是否位于第一状态，其中所述第一状态对应第一操作；以及当所述电阻式记忆胞没有位于所述第一状态时，进行所述电阻式记忆胞关于第二操作的互补切换操作，以使所述电阻式记忆胞产生关于所述第二操作的互补切换现象。 | ||
| 地址 | 中国台湾台中市大雅区科雅一路8号 | ||