发明名称 先封后蚀电镀铜柱导通三维封装结构的工艺方法
摘要 本发明涉及一种先封后蚀电镀铜柱导通三维封装结构的工艺方法,它包括以下步骤:步骤一、取金属载体;步骤二、金属载体表面预镀铜层;步骤三、电镀金属外引脚;步骤四、环氧树脂塑封;步骤五、电镀金属线路层;步骤六、电镀导电金属柱;步骤七、贴装芯片;步骤八、塑封;步骤九、无源器件贴装;步骤十、塑封;步骤十一、载体蚀刻开窗;步骤十二、电镀抗氧化金属层;步骤十三、切割成品。本发明能够埋入元器件提升整个封装功能集成度的问题,且此工艺方法制备的线路层在金属载体的一侧被包封起来,在工艺流程中金属载体保留,可以提高产品的可靠性能。
申请公布号 CN106601627A 申请公布日期 2017.04.26
申请号 CN201611192921.8 申请日期 2016.12.21
申请人 江苏长电科技股份有限公司 发明人 孔海申;林煜斌;沈锦新;梁新夫;周青云
分类号 H01L21/48(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 主分类号 H01L21/48(2006.01)I
代理机构 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 代理人 周彩钧
主权项 一种先封后蚀电镀铜柱导通三维封装结构的工艺方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:步骤一、取金属载体步骤二、金属载体表面预镀铜层步骤三、电镀金属外引脚在金属载体正面通过电镀形成金属外引脚;步骤四、环氧树脂塑封将金属外引脚外围区域利用环氧树脂材料进行塑封保护,并通过表面研磨使金属外引脚顶端露出塑封料表面;步骤五、电镀金属线路层在步骤四的塑封料表面通过电镀形成金属线路层;步骤六、电镀导电金属柱在金属线路层表面通过电镀形成导电金属柱;步骤七、贴装芯片在金属线路层表面贴装芯片;步骤八、塑封将金属线路层、导电金属柱和芯片外围区域采用塑封料进行塑封,并通过表面研磨使导电金属柱顶端露出塑封料表面;步骤九、无源器件贴装在步骤八露出的导电金属柱顶端贴装无源器件;步骤十、塑封将无源器件外围区域采用塑封料进行塑封;步骤十一、载体蚀刻开窗在金属载体背面进行蚀刻开窗,使外引脚背面露出;步骤十二、电镀抗氧化金属层在露出的金属外引脚背面通过电镀形成抗氧化金属层;步骤十三、切割成品将步骤十二完成电镀抗氧化金属层的半成品进行切割作业,使原本以阵列式集合体方式集成在一起的塑封体模块一颗颗切割独立开来,制得先封后蚀电镀铜柱导通三维封装结构成品。
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