| 发明名称 | 用于自对准双重构图的方法及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于自对准双重构图的方法及半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成芯模材料层；对所述芯模材料层进行处理以使其致密化；图形化所述芯模材料层，以形成芯模；对所述芯模进行各向同性刻蚀；在所述芯模表面和侧壁上形成补偿层；在所述衬底的表面以及所述芯模的表面和侧壁上形成硬掩膜材料层；执行回蚀刻，以在所述芯模的侧壁上形成由所述硬掩膜材料层构成的侧墙；去除所述芯模。本发明的用于自对准双重构图的方法及半导体器件的制造方法，可以在自对准双重构图中芯模侧墙的低频粗糙度而无副作用，从而提高后续形成的半导体器件的性能以及良率。 | ||
| 申请公布号 | CN106601602A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201510661320.6 | 申请日期 | 2015.10.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 张海洋;王彦;肖芳元 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种用于自对准双重构图的方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤S101，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成芯模材料层；步骤S102，对所述芯模材料层进行处理以使其致密化；步骤S103，图形化所述芯模材料层，以形成芯模；步骤S104，对所述芯模进行各向同性刻蚀；步骤S105，在所述芯模表面和侧壁上形成补偿层；步骤S106，在所述衬底的表面以及所述芯模的表面和侧壁上形成硬掩膜材料层；步骤S107，执行回蚀刻，以在所述芯模的侧壁上形成由所述硬掩膜材料层构成的侧墙；步骤S108，去除所述芯模。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||