| 发明名称 | 一种高致密的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高致密的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，包括：采用含有高产碳率树脂、低残碳率有机聚合物的前驱体液浸渍纤维预制体中，裂解后获得纤维/C熔渗预制体；以及将熔融的Si或熔融的Si与金属的合金渗入所述纤维/C熔渗预制体中进行熔渗反应，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。本发明通过添加低残碳率聚合物改变熔渗预制体中树脂裂解形成的碳的结构，促进反应熔渗时硅和碳的接触和反应，熔渗后金属在基体中呈弥散状分布并且有效避免了块状残余碳和块状残余金属的产生，从而显著提高复合材料的力学性能和热导率。 | ||
| 申请公布号 | CN106588060A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201610990055.0 | 申请日期 | 2016.11.10 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 董绍明;钟强;张翔宇;阚艳梅;高乐;周海军;胡建宝 |
| 分类号 | C04B35/80(2006.01)I;C04B35/573(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/80(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种高致密的碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，包括：采用含有高产碳率树脂、低残碳率有机聚合物的前驱体液浸渍纤维预制体中，裂解后获得纤维/C熔渗预制体；以及将熔融的Si或熔融的Si与金属的合金渗入所述纤维/C熔渗预制体中进行熔渗反应，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||