| 发明名称 | 一种高电子迁移率晶体管器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高电子迁移率晶体管器件及其制备方法，该器件包括：衬底、依次设置在所述衬底上的外延层、第一绝缘层、第二绝缘层，栅极、源极和漏极，与所述栅极、源极、漏极电连接的栅极引脚、源极引脚和漏极引脚、以及设置在所述第二绝缘层上部，位于所述栅极引脚、源极引脚和漏极引脚之间的间隔的第三绝缘层；其中，所述第三绝缘层由高分子有机材料制成。本发明通过在器件最外层添加一层绝缘层，降低了传统器件表面的粗糙程度，减少了器件表面吸附的杂质和静电，从而降低了器件表面漏电，增大了器件的耐压性。 | ||
| 申请公布号 | CN106601805A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201510671953.5 | 申请日期 | 2015.10.15 |
| 申请人 | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 刘美华;陈建国;林信南 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李相雨 |
| 主权项 | 一种高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，包括：衬底、依次设置在所述衬底上的外延层、第一绝缘层、第二绝缘层，栅极、源极和漏极，与所述栅极、源极、漏极电连接的栅极引脚、源极引脚和漏极引脚、以及设置在所述第二绝缘层上部，位于所述栅极引脚、源极引脚和漏极引脚之间的间隔的第三绝缘层；其中，所述第三绝缘层由高分子有机材料制成。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||