带有ESD保护结构的半导体结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种带有ESD保护结构的半导体结构及其制作方法，制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成外延层；在外延层上形成氮氧化硅层以得到第一半导体结构；蚀刻第一半导体结构中预设第一区域的氮氧化硅层和部分外延层；对蚀刻后的第一区域进行局部热氧化生成场氧化层；去除第一半导体结构中预设第二区域的外延层表面的氮氧化硅层；在第二区域形成元胞结构；在场氧化层上形成ESD多晶层；在ESD多晶层中形成ESD多晶二极管结构，并在ESD多晶二极管结构的两侧分别形成ESD接触孔，在第二区域的元胞结构中形成至少一个元胞结构接触孔。通过减小或消除ESD结构区域接触孔和元胞结构接触孔之间的高度差，减少或消除盲孔的出现，提高器件的良品率。

主权项

一种带有ESD保护结构的半导体结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成外延层；在所述外延层上形成氮氧化硅层以得到第一半导体结构；蚀刻所述第一半导体结构中预设的第一区域的所述氮氧化硅层和部分所述外延层；对蚀刻后的所述第一区域进行局部热氧化生成场氧化层；去除所述第一半导体结构中预设的第二区域的所述外延层表面的所述氮氧化硅层；在所述第二区域形成元胞结构；在所述场氧化层上形成ESD多晶层；在所述ESD多晶层中形成ESD多晶二极管结构，并在所述ESD多晶二极管结构的两侧分别形成ESD接触孔，其中，一侧的所述ESD接触孔通过孔内金属与所述半导体结构的栅极连接，另一侧的所述ESD接触孔通过孔内金属与所述半导体结构的源极连接，以及在所述第二区域的所述元胞结构中形成至少一个元胞结构接触孔，所述至少一个元胞结构接触孔通过孔内金属与所述半导体结构的所述源极连接。