一种多晶硅的提纯方法

摘要

一种多晶硅的提纯方法，包括以下步骤：A：将原料多晶硅研磨至粒度为36‑260μm；B：将研磨后的多晶硅在氩气保护下以5℃/min的速度从室温煅烧至1050±5℃,再以1℃/min速度继续加热至1250±5℃然后将硅在冷水中快速淬火至室温，金属硅表面出现炸纹；C：将淬火后的多晶硅在酸洗液中酸洗;然后过滤多晶硅，再用去离子水冲洗至中性，得提纯后的多晶硅。采用本方法对多晶硅结构型杂质和粘附性杂质移除率高。多晶硅酸洗后的废液可以作为化工原料循环使用，不破坏环境。

主权项

一种多晶硅的提纯方法，其特征在于包括以下步骤：A：将原料多晶硅研磨至粒度为36‑260μm；B：将研磨后的多晶硅在氩气保护下以5℃/min的速度从室温煅烧至1050±5℃,保持0.5h；再以1℃/min速度继续加热至1250±5℃，保持0.5h，加热的同时不断抽气，然后将硅在冷水中快速淬火至室温，金属硅表面出现炸纹；C：将淬火后的多晶硅在酸洗液中酸洗，酸洗工艺为：C1：酸洗液配制，按照摩尔比氢氟酸8‑10份：硝酸8‑10份：去离子水70‑75份配制酸洗液；C2：将淬火后的多晶硅投入酸洗液中酸洗2‑2.5小时，投入多晶硅的质量为酸洗液质量的3.5‑7%酸洗液温度50℃‑75℃，磁子搅拌速度为1500r/min；C3：加入络合剂酸洗，在步骤C2完成后，在多晶硅和酸洗液的混合体系中加入络合剂，加入络合剂的摩尔数为氢氟酸摩尔数的0.4‑0.6倍； 所述的络合剂为山梨醇或卫茅醇或甘露醇或β‑D呋喃果糖；继续酸洗3‑5h，然后过滤多晶硅，再用去离子水冲洗至中性，得提纯后的多晶硅。