发明名称 |
喷墨打印的抗蚀剂 |
摘要 |
本方法涉及选择性地在半导体上沉积抗蚀剂,该抗蚀剂包括固态氢化松香树脂和液态氢化松香树脂酯的组合物,然后蚀刻半导体的未覆盖部分,并且同时抑制抗蚀剂的削角。蚀刻部分随后可被金属化以形成电流路径。 |
申请公布号 |
CN103594353B |
申请公布日期 |
2017.04.26 |
申请号 |
CN201310485921.7 |
申请日期 |
2013.08.16 |
申请人 |
太阳化学公司 |
发明人 |
董华;R·K·巴尔 |
分类号 |
H01L21/312(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/312(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
郭辉 |
主权项 |
一种在半导体上形成电流路径的方法,包括:a)提供掺杂的半导体晶片,其包括前侧、后侧和pn结;b)选择性地在半导体晶片的前侧之上使用抗蚀剂组合物,该抗蚀剂组合物包括一种或多种在室温下为固态的氢化松香树脂,一种或多种在室温下为液态的氢化松香树脂酯,以及一种或多种脂肪酸;以及c)将蚀刻剂组合物施加到半导体上来蚀刻掉半导体前侧的暴露部分从而形成电流路径;其中一种或多种氢化松香树脂和一种或多种氢化松香树脂酯的重量比是2:1到4:1。 |
地址 |
美国新泽西州 |