碳化硅外延晶片及其制造方法

摘要

实施方案提供：用于制备碳化硅外延晶片的方法，所述方法包括以下步骤：准备晶片，向所述晶片施加反应气体，加热所述反应气体以产生中间化合物，以及利用产生的中间化合物在所述晶片上形成碳化硅外延层，其中所述反应气体包含多种烃类化合物；以及碳化硅外延晶片，所述碳化硅外延晶片包括由反应气体形成的碳化硅外延层，所述反应气体包含多种烃类化合物，其中在晶片上所述碳化硅外延层的C/Si值是均匀的，并因此可提高晶片上碳化硅外延层的均匀性。

主权项

一种碳化硅外延晶片，包括由反应气体形成的碳化硅外延层，所述反应气体包含多种烃类化合物，其中所述碳化硅外延层的C/Si值在整个所述晶片中是均匀的。