形成深沟槽的方法和深沟槽隔离结构

摘要

一种在半导体衬底中形成深沟槽的方法包括：在半导体衬底上方形成第一掩模图案，其中，第一掩模图案具有暴露半导体衬底的部分的第一开口；在第一掩模图案上方形成第二掩模图案，其中，第二掩模图案具有与第一开口基本对准的第二开口以暴露半导体衬底的部分，并且第二开口的宽度大于第一开口的宽度以进一步暴露第一掩模图案的部分；以及去除半导体衬底的部分、第一掩模图案的部分和半导体衬底的位于第一掩模图案的部分下方的另一部分以形成深沟槽。本发明实施例涉及形成深沟槽的方法和深沟槽隔离结构。

主权项

一种在半导体衬底中形成深沟槽的方法，所述方法包括：在所述半导体衬底上方形成第一掩模图案，其中，所述第一掩模图案具有暴露所述半导体衬底的部分的第一开口；在所述第一掩模图案上方形成第二掩模图案，其中，所述第二掩模图案具有与所述第一开口基本对准的第二开口以暴露所述半导体衬底的所述部分，并且所述第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度以进一步暴露所述第一掩模图案的部分；以及去除所述半导体衬底的所述部分、所述第一掩模图案的所述部分和所述半导体衬底的位于所述第一掩模图案的所述部分下方的另一部分以形成深沟槽。