发明名称 一种光透半导体材料及其制备方法
摘要 本发明涉及一种光透半导体材料,包括基底和附着于所述基底上的液态金属层;所述液态金属层上方为氧化锌片层结构。本发明还涉及一种光透半导体材料的制备方法,该方法包括以下步骤:(1)在基底上均匀喷涂液态金属层,静置至所述液态金属层的表面形成稳定氧化膜,得复合材料;(2)将步骤(1)所得复合材料浸没于包含硝酸锌、六次甲基四胺和水的基液中,充分静置后取出,即得。本发明提供光透半导体材料,既保留了氧化锌纳米结构本身良好的半导性,又大大提高了其透光性,且该材料的制备方法简单,制备工艺要求低,可广泛应用于电子工业,具有广阔的应用前景。
申请公布号 CN106601592A 申请公布日期 2017.04.26
申请号 CN201611197972.X 申请日期 2016.12.22
申请人 中国科学院理化技术研究所 发明人 路金蓉;王磊;刘静
分类号 H01L21/02(2006.01)I;C23C26/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人 王文君
主权项 一种光透半导体材料,其特征在于,包括基底和附着于所述基底上的液态金属层;所述液态金属层上方为氧化锌片层结构。
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