| 发明名称 | 一种负电压比较器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种负电压比较器，涉及同步整流控制技术领域，包括运算放大器Ⅰ、多个电阻和多个MOS管，所述运算放大器Ⅰ的正相输入端通过电阻R8、电阻R3耦接至地端GND，所述电阻R8和电阻R3为并联关系；运算放大器Ⅰ的负相输入管通过电阻R7、电阻R4耦接至地端GND；正相输入端通过依次串联的MOS管6、电阻R6和MOS管2耦接至操作电压VDD，正相输入管还通过依次串联的MOS管3、电阻1、MOS管1耦接至操作电压VDD，所述MOS管3耦接至基准电压Vref，所述MOS管6耦接至反馈电压Vfb。 | ||
| 申请公布号 | CN106571735A | 申请公布日期 | 2017.04.19 |
| 申请号 | CN201610908416.2 | 申请日期 | 2016.10.19 |
| 申请人 | 芜湖鑫芯微电子有限公司 | 发明人 | 黄胜明;张冬平 |
| 分类号 | H02M1/08(2006.01)I;H02M7/219(2006.01)I;H02M3/335(2006.01)I | 主分类号 | H02M1/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种负电压比较器，包括运算放大器Ⅰ、多个电阻和多个MOS管，其特征在于：所述运算放大器Ⅰ的正相输入端通过电阻R8、电阻R3耦接至地端GND，所述电阻R8和电阻R3为并联关系；运算放大器Ⅰ的负相输入管通过电阻R7、电阻R4耦接至地端GND；正相输入端通过依次串联的MOS管6、电阻R6和MOS管2耦接至操作电压VDD，正相输入管还通过依次串联的MOS管3、电阻1、MOS管1耦接至操作电压VDD，所述MOS管3耦接至基准电压Vref，所述MOS管6耦接至反馈电压Vfb。 | ||
| 地址 | 241002 安徽省芜湖市高新区服务外包产业园（一期）B16-1号楼 | ||