发明名称 一种具有高临界转变温度的Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>发光体掺杂MgB<sub>2</sub>超导体
摘要 本发明涉及一种具有高临界转变温度Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>发光体掺杂MgB<sub>2</sub>超导体,利用Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>发光体改变MgB<sub>2</sub>超导体转变温度。本发明采用水热法制备Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>纳米棒,固相掺杂法制备Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>发光体掺杂的MgB<sub>2</sub>超导体。水热法制备Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>纳米棒时,Y和Eu的摩尔比为0.95∶0.05;Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>发光体掺杂的MgB<sub>2</sub>超导体烧结体中含有的Mg和B的原子比为1.2∶2,Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>发光体所占质量分数为4%~8%。在无外界磁场的条件下,当Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>发光体所占MgB<sub>2</sub>超导体质量分数为8%时,掺杂MgB<sub>2</sub>超导体的Tc=37.4K较纯MgB<sub>2</sub>的Tc=37K为高。
申请公布号 CN104774013B 申请公布日期 2017.04.19
申请号 CN201510121032.1 申请日期 2015.03.13
申请人 西北工业大学 发明人 赵晓鹏;张志伟;陶硕;陈国维
分类号 C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C09K11/78(2006.01)I 主分类号 C04B35/58(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种具有高临界转变温度的Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>发光体掺杂MgB<sub>2</sub>超导体,其主要特征在于水热法制备Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>纳米棒,其中Y和Eu的摩尔比为0.95∶0.05;固相掺杂法制备Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>发光体掺杂MgB<sub>2</sub>超导体,其中原料Mg和B原子比为1.2∶2,Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:Eu<sup>3+</sup>发光体所占超导体质量分数为4%~8%。
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