一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一多晶硅层，并图形化所述第一多晶硅层，以形成第一多晶硅线；在所述第一多晶硅线两侧形成间隙壁；在所述第一多晶硅层上形成第二多晶硅层；图形化所述第二多晶硅层，以形成第二多晶硅线，所述第一多晶硅线和所述第二多晶硅线彼此间隔分布；执行离子注入，以完成所述第一多晶硅线和第二多晶线的掺杂，其中，所述第一多晶硅线用作所述PiP电容的其中一个电极板，所述第二多晶硅线用作所述PiP电容的另一个电极板，所述第一多晶硅线两侧的间隙壁作为所述PiP电容的电介质。该电子装置包括上述的半导体器件，同样具有上述优点。

主权项

一种半导体器件的制造方法，用于形成PiP电容，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一多晶硅层，并图形化所述第一多晶硅层，以形成第一多晶硅线；步骤S102：在所述第一多晶硅线两侧形成间隙壁；步骤S103：在所述第一多晶硅层上形成第二多晶硅层；步骤S104：图形化所述第二多晶硅层，以形成第二多晶硅线，所述第一多晶硅线和所述第二多晶硅线彼此间隔分布；步骤S105：执行离子注入，以完成所述第一多晶硅线和第二多晶线的掺杂，其中，所述第一多晶硅线用作所述PiP电容的其中一个电极板，所述第二多晶硅线用作所述PiP电容的另一个电极板，所述第一多晶硅线两侧的间隙壁作为所述PiP电容的电介质。