发明名称 | 双列直插式存储器模块固态硬盘片上系统及模拟方法 | ||
摘要 | 公开一种双列直插式存储器模块(DIMM)固态硬盘(SSD)片上系统(SoC)及模拟方法。尽管DIMM SSD SoC不具有DIMM上的偏移,但是DIMM SSD SoC如同具有系统互连偏移和DIMM上的偏移的传统的动态随机存取存储器(DRAM)DIMM一样与主机存储器控制器进行交互操作。DIMM SSD SoC包括仿制传统的DRAM DIMM经历的并且主机存储器控制器预期的延迟或最小化系统信号完整性问题的更优延迟的可变延迟元件,从而提高最大系统速度。 | ||
申请公布号 | CN106569967A | 申请公布日期 | 2017.04.19 |
申请号 | CN201610810976.4 | 申请日期 | 2016.09.08 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 克雷格·汉森 |
分类号 | G06F13/16(2006.01)I | 主分类号 | G06F13/16(2006.01)I |
代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 王兆赓;张川绪 |
主权项 | 一种双列直插式存储器模块(DIMM)固态硬盘(SSD)片上系统(SoC),包括:控制器芯片;第一接口,用于在主机处理器与控制器芯片之间传输信号;多个数据组,所述多个数据组中的每一个数据组存储组的一部分信息;第二接口,用于在主机处理器与所述多个数据组之间传输信息;多个可变延迟元件;第一电路,用于将控制器芯片连接到所述多个可变延迟元件中的每一个可变延迟元件;第二电路,用于将所述多个可变延迟元件中的每一个可变延迟元件与所述多个数据组中的一个数据组连接,其中,所述多个可变延迟元件中的每一个可变延迟元件被配置为重现表示Fly‑By DIMM拓扑的选择的偏移延迟。 | ||
地址 | 韩国京畿道水原市 |