一种热膨胀系数适配微波毫米波模块集成结构制作方法

摘要

本发明提供一种热膨胀系数适配微波毫米波模块集成结构制作方法，采用增加缓冲片的方法，在MMIC芯片与铝合金屏蔽腔体之间增加过渡层，缓冲片的热膨胀系数介于MMIC芯片与铝合金之间，但更接近于MMIC芯片的热膨胀系数。采用上述方案，解决了MMIC芯片与屏蔽腔体之间铜丝与镀金薄膜电路基片锡焊互联时因“金脆”现象的存在而引起的可靠性下降问题。

主权项

一种热膨胀系数适配微波毫米波模块集成结构制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、经过下料、线切割、铣削工艺过程制作屏蔽腔体坯体；步骤2、采用铣削工艺加工缓冲片集成槽；步骤3、经过下料、线切割、铣削工艺过程制作缓冲片；步骤4、采用保护漆将屏蔽腔体坯体中缓冲片集成槽以外的区域进行喷涂，并预留缓冲片集成槽及其槽边1‑2毫米作为局部电镀的工艺窗口；步骤5、将缓冲片集成槽及其槽边1‑2毫米采用电镀技术实现局部镀金处理，并将屏蔽腔体去除保护漆；步骤6、将缓冲片的整体进行电镀金；步骤7、将缓冲片焊接到缓冲片集成槽中；步骤8、将焊接后的屏蔽腔体底部采用铣削工艺进行整平，并设置屏蔽腔体底部加工尺寸满足最终设计要求；步骤9、将屏蔽腔体的整体镀金；步骤10、将MMIC芯片集成到屏蔽腔体的缓冲片上。