硅单晶生长装置及使用该装置的硅单晶生长方法

摘要

本发明的一个示例性的实施方式提供了一种硅单晶生长装置及方法。所述装置包括：室，设置于所述室内和用于接收熔融硅的坩埚，设置于所述坩埚外用于加热所述坩埚的加热器，设置于所述室内的隔热部，以及设置于所述坩埚上方、能上下移动的辅助隔热部，其特征在于，所述辅助隔热部设置成与从所述熔融硅中生长出的单晶的主体部隔开间隔，且对上升速度进行控制，以增大所述单晶主体部内的无缺陷区。所述辅助隔热部可以减小所述主体部内的温度梯度的偏差，从而增大所述主体部内的无缺陷区的分布。

主权项

一种硅单晶生长装置，其包括：室；位于所述室内、用于收纳硅熔体的坩埚；位于所述坩埚外、用于加热所述坩埚的加热器；位于所述室内的隔热单元；以及位于所述坩埚上方、能垂直移动的辅助隔热单元；其特征在于，所述辅助隔热单元与在所述硅熔体中生长出的单晶锭的主体部向上隔开间隔，且对所述辅助隔热单元的上升速度进行控制，以增大所述单晶锭主体部内的无缺陷区的分布。