| 发明名称 | 生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜，由下至上依次包括GaAs衬底和n个δ掺杂区；所述δ掺杂区由下至上包括InGaAs本征薄膜和δ掺杂InGaAs薄膜；δ掺杂InGaAs薄膜为Si掺杂的InGaAs薄膜；所述n≥1。本实用新型的n‑InGaAs薄膜的Si掺杂剂在薄膜中呈现脉冲式分布，有效地抑制Si的自补偿效应，提高掺杂效率、电子迁移率及晶体质量。 | ||
| 申请公布号 | CN206116416U | 申请公布日期 | 2017.04.19 |
| 申请号 | CN201621186039.8 | 申请日期 | 2016.10.28 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 李国强;张曙光;王凯诚 |
| 分类号 | H01L31/0304(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 陈文姬 |
| 主权项 | 生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜，其特征在于，由下至上依次包括GaAs衬底和n个δ掺杂区；所述δ掺杂区由下至上包括InGaAs本征薄膜和δ掺杂InGaAs薄膜；δ掺杂InGaAs薄膜为Si掺杂的InGaAs薄膜；所述n≥1。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||