| 发明名称 | 制造半导体晶圆的方法以及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 制造半导体晶圆的方法的实施例包括：针对半导体晶锭的至少两个位置确定至少一个材料特性。在半导体晶锭中形成沿着轴向延伸的凹口或平面。在半导体晶锭中形成多个标记。沿着轴向处于不同位置的多个标记中的至少一些标记可通过根据至少一个材料特性设置的特性特征来相互区分。然后，将半导体晶锭切分成半导体晶圆。 | ||
| 申请公布号 | CN106571320A | 申请公布日期 | 2017.04.19 |
| 申请号 | CN201610875848.8 | 申请日期 | 2016.09.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | J·弗伦德;H·奥弗纳;H-J·舒尔策 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B31/22(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱;董典红 |
| 主权项 | 一种制造半导体晶圆的方法，所述方法包括：针对半导体晶锭的至少两个位置确定至少一个材料特性；在所述半导体晶锭中形成沿着轴向延伸的凹口或平面；在所述半导体晶锭的圆周中形成多个标记，其中，沿着所述轴向位于不同位置处的所述多个标记中的至少一些标记通过根据所述至少一个材料特性设置的特性特征来相互区分；以及此后将所述半导体晶锭切分成半导体晶圆。 | ||
| 地址 | 德国诺伊比贝尔格 | ||