密封腔体中的独立式和非独立式的基于金属和金属合金的MEMS结构的晶片级单片CMOS集成及其形成方法

摘要

提供了在平坦化CMOS基板上直接制造的金属MEMS结构的组装件，其含有特定用途集成电路(ASIC)，通过ASIC互连层上的直接沉积和随后的微制造步骤制造，具有用于封装的集成的盖帽。MEMS结构包括至少一个MEMS装置元件，具有或不具有利用经由ASIC的金属互连体提供的电接触安置在CMOS ASIC晶片上的可移动部分。MEMS结构也可以由合金、导电氧化物、或几种的组合制成。通过CMOS基板的后加工中限定的接合垫来完成提供密封腔体的集成的盖帽、或在CMOS基板上直接制造集成的盖帽。

主权项

一种装置，包括：容纳特定用途集成电路(ASIC)的互补金属氧化物半导体基板(CMOS)，其中所述CMOS基板包含互连层；在所述互连层上直接制造的微机电(MEMS)结构；以及在所述CMOS基板上设置的盖帽，所述盖帽含有至少一个腔体，在所述腔体中包封至少一个MEMS结构。