发明名称 |
变流器用芯及其制造方法以及具备该芯的装置 |
摘要 |
一种变流器用芯的制造方法,包括:准备厚度为15μm以下的能够纳米结晶化的Fe基非晶合金带卷绕或叠层而形成的芯材的步骤;在芯材的磁路方向施加100A/m以上的磁场的同时进行芯材的热处理形成芯的纵向磁场中热处理步骤;和在纵向磁场中热处理步骤之后,在与芯的磁路方向垂直的方向施加磁场的同时进行芯的热处理而形成芯的横向磁场中热处理步骤。在被施加频率f=50Hz、振幅H=1.0A/m的交流磁场的状态下,设在温度T(℃)测定的芯的振幅导磁率为μr(T),设由纵向磁场中热处理步骤得到的μr(T)为μr(max)(T)时,通过横向磁场中热处理步骤,将μr(25)调整为0.4×μr(max)(25)与0.9×μr(max)(25)之间的值。 |
申请公布号 |
CN106575567A |
申请公布日期 |
2017.04.19 |
申请号 |
CN201580041111.X |
申请日期 |
2015.07.27 |
申请人 |
日立金属株式会社 |
发明人 |
萩原和弘 |
分类号 |
H01F38/28(2006.01)I;H01F1/16(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01F38/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳;池兵 |
主权项 |
一种变流器用芯,其是软磁性材料层卷绕或叠层而形成的变流器用芯,其特征在于:所述软磁性材料层由厚度为15μm以下的Fe基纳米结晶合金带形成,在被施加频率f=50Hz、振幅H=1.0A/m的交流磁场的状态下,设在温度T(℃)测定的所述芯的振幅导磁率为μr(T),设|μr(100)‑μr(0)|/μr(0)为Δμr(100‑0)时,Δμr(100‑0)为0.5以下,将磁场H为80A/m的磁通密度B(80)定义为饱和磁通密度Bm时,剩磁通密度Br与饱和磁通密度Bm的比Br/Bm小于0.9。 |
地址 |
日本东京都 |