| 发明名称 | 薄膜配线形成方法及薄膜配线 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜配线形成方法及薄膜配线，本发明的薄膜配线形成方法，使用具有Ca为0.5at%以上且不到5at%、剩余部分为Cu及不可避免杂质的组成的Cu‑Ca合金靶以溅射法形成Cu‑Ca合金膜之后，在氧气分压为10<sup>‑4</sup>～10<sup>‑10</sup>气压的含微量氧的惰性气体气氛中，以300～700℃对所述合金膜进行热处理，所述薄膜配线通过该方法形成。 | ||
| 申请公布号 | CN103258725B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201310042051.6 | 申请日期 | 2013.02.01 |
| 申请人 | 三菱综合材料株式会社 | 发明人 | 森晓 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;王珍仙 |
| 主权项 | 一种薄膜配线形成方法，其通过使用Cu‑Ca合金靶的溅射法进行成膜，其特征在于，使用具有Ca为0.5at％以上且不到5at％、剩余部分为Cu及不可避免杂质的组成的Cu‑Ca合金靶以所述溅射法形成Cu‑Ca合金膜之后，在氧气分压为10<sup>‑4</sup>～10<sup>‑10</sup>气压的含微量氧的惰性气体气氛中，以300～700℃对所述合金膜进行热处理。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||