半导体器件的制造方法、半导体器件的制造装置、半导体器件、半导体器件的制造程序、半导体用处理剂以及转印用部件

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括将氧化且溶解处理对象（20）的处理液（19）供给处理对象（20）表面上的供给工序；以及将形成有通孔及/或非通孔的催化剂材料（17）设成接触或接近至处理对象（20）的表面的配置状态的配置工序。根据该半导体器件的制造方法，并非具有如迄今为止任意性高，也就是，再现性低的形状，而是通过预先使催化剂材料（17）具有所需的形状，即可稳定地制造出具备具有一定水准的凹凸形状、或纳米级的微结晶状或多孔状的层的半导体层或半导体衬底的半导体器件。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：将氧化且溶解半导体层或半导体衬底的处理剂，供给所述半导体层或所述半导体衬底的表面上的供给工序；以及将形成有通孔及/或非通孔的催化剂材料、岛屿状的催化剂材料、或平板状的催化剂材料，设成接触或接近所述表面的配置状态的配置工序。