发明名称 紫外发光器件
摘要 提供一种紫外发光器件,其包括:衬底;发光结构,所述发光结构在衬底下方并且包括多个化合物半导体,每个化合物半导体包括至少第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层;在第一导电半导体层下方的第一电极层;以及在第二导电半导体层下方的第二电极层。第一电极层与有源层的侧表面间隔开,并且沿着有源层的外周部设置。第一电极层和第二电极层中的至少之一是反射层。
申请公布号 CN103165784B 申请公布日期 2017.04.12
申请号 CN201210540732.0 申请日期 2012.12.13
申请人 LG伊诺特有限公司 发明人 洪二朗;崔云庆
分类号 H01L33/40(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I 主分类号 H01L33/40(2010.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 顾晋伟;全万志
主权项 一种紫外发光器件,包括:衬底;发光结构,所述发光结构在所述衬底上并且包括多个化合物半导体,所述发光结构至少包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层,所述第一导电半导体层具有第一表面和设置在所述第一表面的外围区域的第二表面;在所述第一导电半导体层的所述第二表面上的欧姆层;在所述第一导电半导体层的所述第二表面上的第一电极层;在所述第二导电半导体层的整个上表面上的第二电极层;以及在所述发光结构的侧表面上的保护层,其中所述第一电极层与所述有源层的侧表面间隔开并且沿着所述有源层的外周部设置,以及其中所述第一电极层和所述第二电极层是反射层,其中所述有源层和所述第二导电半导体层设置在所述第一导电半导体层的所述第一表面上,其中当从上方观察时,所述欧姆层具有围绕所述第二电极层的闭环形状,以及其中所述保护层形成为插入在所述第一电极层和所述第一导电半导体层的侧表面之间。
地址 韩国首尔