| 发明名称 | 低电阻透明导电积层体、低电阻图案化的透明导电积层体及触控面板 | ||
| 摘要 | 一种低电阻透明导电积层体包含透明基板、透明光学调整层、氧化硅层以及透明导电层，其中，氧化硅由SiO<sub>x</sub>(x大于1.6至小于2.0)所示。透明光学调整层厚度范围为50nm至4,000nm及折射率范围为1.58至1.70。透明导电层厚度范围为20nm至25nm及表面电阻值范围为小于200Ω/sq。透明基板折射率与透明光学调整层折射率的差值的绝对值范围为0.05以下。该低电阻透明导电积层体无干涉纹产生，以及由其所形成的低电阻图案化的透明导电积层体应用至触控面板时，可使得使用者在观看时不易看到透明导电层图案化的痕迹，继而可使得触控面板具有较佳的显示质量。 | ||
| 申请公布号 | CN104658641B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201310716908.8 | 申请日期 | 2013.12.23 |
| 申请人 | 远东新世纪股份有限公司 | 发明人 | 张建成;钱雨纯;陆龙翔 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01)I;B32B7/02(2006.01)I;G06F3/14(2006.01)I | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人 | 张雅军;杨建君 |
| 主权项 | 一种低电阻透明导电积层体，其特征在于包含：一透明基板；一透明光学调整层，设置在该透明基板上，且厚度范围为50nm至4,000nm，以及折射率范围为1.58至1.70；一氧化硅层，设置在该透明光学调整层上，且厚度范围为23nm至27nm；及一透明导电层，设置在该氧化硅层上，且厚度范围为20nm至25nm，以及表面电阻值范围为小于200Ω/sq；其中，该透明基板的折射率与该透明光学调整层的折射率的差值的绝对值范围为0.05以下，且该氧化硅是由式(I)所示；SiO<sub>x</sub> (I)式(I)中，x为大于1.6至小于2.0。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北市 | ||