| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体结构及其形成方法。结构以及产生半导体结构的方法包括：半绝缘半导体层；多个隔离的器件，其被形成在所述半绝缘半导体层之上；以及金属‑半导体合金区，其被形成在所述半绝缘半导体层中，其中，所述金属‑半导体合金区电连接所述隔离的器件中的两个或更多个。 | ||
| 申请公布号 | CN104218025B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201410233973.X | 申请日期 | 2014.05.29 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | G·科恩;C·卡布拉尔;A·小巴苏 |
| 分类号 | H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/538(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 贺月娇;于静 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：半绝缘半导体层；多个隔离的器件，其被形成在所述半绝缘半导体层之上；以及金属‑半导体合金区，其被形成在所述半绝缘半导体层中，其中，所述金属‑半导体合金区电连接所述隔离的器件中的两个或更多个；并且所述金属‑半导体合金区包括与InP形成合金的Ni、Co、Pd、Pt、Ti及其合金中的一种。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||