具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置

摘要

本申请案涉及具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置。一种光子检测装置包含具有安置在半导体材料的第一区中的平面结的光电二极管。深沟槽隔离DTI结构安置在所述半导体材料中。所述DTI结构使所述DTI结构的一侧上的所述半导体材料的所述第一区与所述DTI结构的另一侧上的所述半导体材料的第二区隔离。所述DTI结构包含衬在所述DTI结构的内侧表面的电介质层以及安置在所述DTI结构内侧的所述电介质层上的经掺杂半导体材料。安置在所述DTI结构内侧的所述经掺杂半导体材料耦合到偏压，以使所述半导体材料的所述第一区中的所述光电二极管与所述半导体材料的所述第二区隔离。

主权项

一种光子检测装置，其包括：光电二极管，其具有安置在半导体材料的第一区中的平面结，其中所述半导体材料包含P掺杂硅，且所述平面结包含安置为接近于所述半导体材料中的P掺杂硅区的N掺杂硅区，其中所述N掺杂硅区中的掺杂密度朝所述N掺杂硅区的边缘逐渐减小，其中所述N掺杂硅区的边缘不使用保护环或掺杂阱来进行隔离；以及深沟槽隔离DTI结构，其安置在所述半导体材料中，其中所述DTI结构将所述DTI结构的一侧上的所述半导体材料的所述第一区与所述DTI结构的另一侧上的所述半导体材料的第二区隔离，其中所述DTI结构包含：电介质层，其衬在所述DTI结构的内侧表面；以及经掺杂半导体材料，其安置在所述DTI结构内侧的所述电介质层上，其中安置在所述DTI结构内侧的所述经掺杂半导体材料耦合到偏压，以使所述半导体材料的所述第一区中的所述光电二极管与所述半导体材料的所述第二区隔离。