| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括交替并竖直地堆叠在基板上的多个第一绝缘层和多个第二层。所述多个第二层中的每个第二层包括通过第二绝缘层水平分离的水平电极。接触塞贯穿所述多个第一绝缘层和所述多个第二层中的第二绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN103545276B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
| 申请号 | CN201310289922.4 | 申请日期 | 2013.07.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 沈善一;赵源锡;李云京 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;金光军 |
| 主权项 | 一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个水平电极，竖直地堆叠在基板上；多个第一绝缘层，每个第一绝缘层设置在所述多个水平电极中的相应的一对水平电极之间；多个第二绝缘层，每个第二绝缘层设置在所述多个第一绝缘层中的相应的一对第一绝缘层之间并与所述多个水平电极中的相应的一个水平电极设置在同一竖直平面；接触结构，贯穿第一绝缘层和第二绝缘层，其中，接触结构与第一绝缘层和第二绝缘层接触。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||