发明名称 |
中子治疗装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种中子治疗装置,包括射束整形体、设于射束整形体中的中子产生部、将离子束传送至中子产生部的管束、使得离子束传输方向发生改变的偏转电磁铁以及准直器,所述射束整形体包括缓速体及包设在缓速体外周的反射体,所述中子产生部经离子束照射后产生中子,所述缓速体将自中子产生部产生的中子减速至超热中子能区,所述反射体将偏离的中子导回以提高超热中子能区内的中子强度,所述管束具有轴线,所述射束整形体能够绕管束的轴线转动对被照射体进行不同角度的照射。通过支撑架、射束整形体以及偏转磁铁的设置使整个中子治疗装置只需旋转自身结构便能实现整个中子治疗装置进行不同角度的照射,结构简单,运转轻便,易于实现。 |
申请公布号 |
CN206081353U |
申请公布日期 |
2017.04.12 |
申请号 |
CN201620699033.4 |
申请日期 |
2016.07.04 |
申请人 |
南京中硼联康医疗科技有限公司 |
发明人 |
刘渊豪 |
分类号 |
A61N5/10(2006.01)I |
主分类号 |
A61N5/10(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种中子治疗装置,其特征在于,所述中子治疗装置包括射束整形体、设于射束整形体中的中子产生部、将离子束传送至中子产生部的管束、使得离子束传输方向发生改变的偏转电磁铁以及准直器,所述射束整形体包括缓速体及包设在缓速体外周的反射体,所述中子产生部经离子束照射后产生中子,所述缓速体将自中子产生部产生的中子减速至超热中子能区,所述反射体将偏离的中子导回以提高超热中子能区内的中子强度,所述准直器将中子产生部产生的中子进行集中照射,所述中子治疗装置具有对被照射体进行照射的照射空间,所述射束整形体连接有用于屏蔽自射束整形体渗漏出的辐射线的屏蔽体,所述屏蔽体能够随着射束整形体的运动遮覆于照射空间对照射空间进行屏蔽。 |
地址 |
211112 江苏省南京市江宁区江宁科学园龙眠大道568号 |