用于产生具有垂直电介质层的半导体器件的方法

摘要

用于产生具有垂直电介质层的半导体器件的方法。公开了一种用于产生半导体器件的方法。该方法包括提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体主体，产生具有底部和侧壁并从第一表面扩展至半导体主体中的第一沟槽，沿着沟槽的至少一个侧壁形成电介质层，并用填充材料来填充沟槽。形成电介质层包括在至少一个侧壁上形成保护层，使得该保护层留下至少一个侧壁的一区段未被覆盖，将未被覆盖的侧壁区段的区域中的半导体主体氧化以形成电介质层的第一区段，去除保护层，并在至少一个侧壁上形成电介质层的第二区段。

主权项

一种用于产生半导体器件的方法，包括：提供具有第一表面的半导体主体；产生具有底部和侧壁并从第一表面扩展到半导体主体中的第一沟槽；沿着第一沟槽的至少一个侧壁形成电介质层；以及用填充材料来填充第一沟槽，其中，形成电介质层包括：在所述至少一个侧壁上形成保护层，使得保护层留下至少一个侧壁的一区段未被覆盖；将未被覆盖的侧壁区段的区域中的半导体主体氧化以形成电介质层的第一区段；去除保护层；以及在所述至少一个侧壁上形成电介质层的第二区段,其中，形成保护层包括：在第一沟槽的底部上形成另一保护层，使得所述另一保护层覆盖所述至少一个侧壁的区段；在未被所述另一保护层覆盖的所述至少一个侧壁的那些区域上形成保护层；以及去除所述另一保护层。